1月6日，湖南大学半导体应用技术创新研究院院长，国家杰出青年基金获得者，万人计划“青年拔尖人才”廖蕾教授和华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室研究员，国家优秀青年基金获得者、珠江学者，科技部“十五五”规划总体专家组专家兰林锋研究员应邀来校讲学。

廖蕾教授作了题为“范德华集成技术调控二维半导体器件界面”的学术讲座。他提出范德华异质集成方法，该方法实现了低缺陷态密度的完美栅极接触界面，获得了大规模高速射频晶体管，发展了超薄缓冲层法，避免了栅极介质与二维沟道之间的直接键合，获得了亚阈值摆幅接近理论极限的高迁移率二维晶体管。

兰林锋研究员作了题为“高迁移率薄膜晶体管及其在新型显示和类脑计算中的应用探索”的学术讲座。兰林锋研究员面对显示应用方面，TFT面临迁移率低、稳定性差的问题，研究了稀土离子的电荷转移跃迁对氧化物半导体的光稳定性的改善作用。研究表明：四价稀土离子（ 如Pr4+和Tb4+）的电荷转移跃迁能将入射光下转换成无辐射跃迁态，大幅降低光生电子的寿命，从而大幅改善氧化物TFT光热稳定性，同时提高迁移率。相关材料与通过京东方、TCL华星的工艺验证，目前正导入高世代G8.6产线。此外，进一步探索了TFT的可拉伸化构建及其在类脑计算中的新应用，实现了具有长程可塑、学习记忆功能的可拉伸突触晶体管。

▲廖蕾教授作专题讲座

▲兰林锋研究员作专题讲座

（一审：李海屿 二审：王 虎 三审：李洪华）